lunes, 16 de mayo de 2011

MEJOR CHIP DE ALMACENAMIENTO EN FERROELÉCTRICOS


Figura. A escala atómica, de la Universidad de Michigan, los investigadores han logrado, por primera vez, un mapa de la polarización de un material de última generación de chips de memoria. Crédito: Chris Nelson y Xiaoqing Pan

Investigadores de ingeniería de la Universidad de Michigan han encontrado una manera de mejorar el rendimiento de los materiales ferroeléctricos, que tiene el potencial de hacer que los dispositivos de memoria tengan mayor capacidad de almacenamiento que los discos duros magnéticos con una mayor velocidad de escritura y una vida útil más larga.
En la memoria ferroeléctrica la dirección de polarización eléctrica de las moléculas actúa como un bit 0, o 1.
El profesor del Departamento de Ciencia de los materiales Xiaoqing Pan, junto a sus colegas de la Universidad de Michigan y colaboradores de la Universidad Estatal de Pensilvania y Universidad de Wisconsin, Madison, diseñaron un sistema material que espontáneamente forma espirales de tamaño nanométrico de la polarización eléctrica, a intervalos controlable, pudiendo proporcionar sitios naturales para la conmutación de la polarización reduciendo así la energía necesaria para cambiar cada bit.Un documento sobre la investigación, se encuentra disponible en NanoLetters siguiendo el enlace:
Fuente: Electro IQ / Boletín Euroresidentes
Más  información en: http://www.electroiq.com
http://www.electroiq.com/index/display/nanotech-article-display/5684743810/articles/small-times/nanotechmems/research-and_development/universities/2011/3/better-memory-chip-storage-with-ferroelectrics.html